德国德累斯勒的研究者已经成功用磁性材料填充碳纳米管.这是在利用这些微小的圆柱体制造极高密度的数据存储设备方面的进步.
    IFW的研究人员说这是第一次用铁,钴和镍填充纳米管.这些材料都有磁性,纳米管的直径大约是10纳米.研究院的研究员可以在结构硅晶片上生长这些纳米管.
    科学家们说他们希望用填充的纳米管制造非易失性存储器.IFW的Albrecht Leonhard说小的尺寸在理论上允许存储密度比用半导体制造的动态随机存取存储单元增加1000倍.他又补充说这些纳米管的另一用途是微型磁体.
    Dresdner研究院用化学气相沉积法制造纳米管,这种方法通常用于半导体的生产.一边用沉积法生长纳米管一边填充.纳米管在晶片上生长的位置决定于沉积的微量铁微粒.据科学家们说,这样可以使纳米管按设计好的结构生长在晶片上.
    Albrecht说,研究院已经成功生长出”几毫克”的纳米管.科学家们正在寻找一个投资者,例如一个半导体生产商,以便使步骤精简标准至可以工业化生产. 
 

　 
资料来源自 “科技之光”